電(dian)路設計(ji)是傳(chuan)感(gan)器(qi)性能(neng)能(neng)否的(de)關(guan)鍵要素，由于(yu)溫濕(shi)度(du)傳(chuan)感(gan)器(qi)輸(shu)出端是微小的(de)信號，假(jia)如由于(yu)噪(zao)聲招(zhao)致有用的(de)信號被吞沒，所以增強傳(chuan)感(gan)器(qi)電(dian)路的(de)抗干擾(rao)性突(tu)出。我(wo)們(men)需理(li)解傳(chuan)感(gan)器(qi)電(dian)路噪(zao)聲的(de)來源(yuan)，以便找(zhao)出好的(de)辦法來降低噪(zao)聲。傳(chuan)感(gan)器(qi)電(dian)路噪(zao)聲一般有如下七種：

　　1、低頻噪聲，

　　低頻噪聲(sheng)(sheng)(sheng)是由(you)內(nei)部的導電(dian)(dian)(dian)微粒(li)不連續運動形成的。是碳膜(mo)電(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)，其碳質資料內(nei)部存在許(xu)多微小顆粒(li)，顆粒(li)之(zhi)間是不連續的，在電(dian)(dian)(dian)流(liu)流(liu)過時，會使(shi)電(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)的導電(dian)(dian)(dian)率發作變(bian)化(hua)惹起(qi)電(dian)(dian)(dian)流(liu)的變(bian)化(hua)，產生相(xiang)(xiang)似(si)接觸不良的閃(shan)爆(bao)電(dian)(dian)(dian)弧。晶體管(guan)也(ye)(ye)產生過類(lei)似(si)的爆(bao)裂噪聲(sheng)(sheng)(sheng)和閃(shan)爍噪聲(sheng)(sheng)(sheng)，其產活(huo)力理(li)與(yu)電(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)中微粒(li)的不連續性(xing)相(xiang)(xiang)近(jin)，也(ye)(ye)與(yu)晶體管(guan)的摻雜水平有關。

　　2、半(ban)導體器件產生的散(san)粒噪聲

　　由(you)于半導體PN結兩端勢壘區(qu)(qu)(qu)電(dian)(dian)(dian)(dian)壓的(de)變化(hua)(hua)，導致累積在(zai)此區(qu)(qu)(qu)域的(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)荷(he)數量(liang)改動(dong)，從(cong)而(er)出現電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)效(xiao)應。當(dang)外加(jia)正(zheng)向(xiang)(xiang)電(dian)(dian)(dian)(dian)壓升高時(shi)，N區(qu)(qu)(qu)的(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)子和(he)P區(qu)(qu)(qu)會向(xiang)(xiang)耗盡區(qu)(qu)(qu)運動(dong)，相當(dang)于對電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)充電(dian)(dian)(dian)(dian)。當(dang)正(zheng)向(xiang)(xiang)電(dian)(dian)(dian)(dian)壓小(xiao)時(shi)，它使電(dian)(dian)(dian)(dian)子和(he)空穴(xue)遠(yuan)離耗盡區(qu)(qu)(qu)，相當(dang)于電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)放(fang)電(dian)(dian)(dian)(dian)。外加(jia)反向(xiang)(xiang)電(dian)(dian)(dian)(dian)壓時(shi)，耗盡區(qu)(qu)(qu)變化(hua)(hua)相反。當(dang)電(dian)(dian)(dian)(dian)流流經勢壘區(qu)(qu)(qu)，這種(zhong)變化(hua)(hua)會惹起(qi)流過勢壘區(qu)(qu)(qu)的(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)流產(chan)(chan)生(sheng)微小(xiao)動(dong)搖，而(er)產(chan)(chan)生(sheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)流噪(zao)(zao)聲。產(chan)(chan)生(sheng)的(de)噪(zao)(zao)聲大(da)小(xiao)與溫度、頻帶寬(kuan)度△f成正(zheng)比(bi)。

　　3、高頻熱噪聲

　　高(gao)頻(pin)(pin)熱(re)噪聲(sheng)是由于導電(dian)(dian)(dian)(dian)體內(nei)部(bu)電(dian)(dian)(dian)(dian)子的(de)(de)無規(gui)(gui)則運(yun)動產生的(de)(de)。溫度越高(gao)，電(dian)(dian)(dian)(dian)子運(yun)動就越劇烈。導體內(nei)部(bu)電(dian)(dian)(dian)(dian)子的(de)(de)無規(gui)(gui)則運(yun)動會在(zai)其內(nei)部(bu)構成(cheng)很多微小(xiao)的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)流動搖，因其是無序運(yun)動，故它的(de)(de)均(jun)勻總(zong)電(dian)(dian)(dian)(dian)流為(wei)零(ling)，但(dan)當它作為(wei)一個元件(jian)(或作為(wei)電(dian)(dian)(dian)(dian)路的(de)(de)一局部(bu))被(bei)接入放(fang)大電(dian)(dian)(dian)(dian)路后，其內(nei)部(bu)的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)流就會被(bei)放(fang)大成(cheng)為(wei)噪聲(sheng)源，對工作在(zai)高(gao)頻(pin)(pin)頻(pin)(pin)段內(nei)的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)路高(gao)頻(pin)(pin)熱(re)噪聲(sheng)影響尤甚。

　　通常在工(gong)頻(pin)內，電(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)的(de)(de)(de)熱噪(zao)聲(sheng)(sheng)與通頻(pin)帶成正比，通頻(pin)帶越(yue)寬(kuan)，電(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)熱噪(zao)聲(sheng)(sheng)的(de)(de)(de)影響就(jiu)越(yue)大(da)。以一個1kΩ的(de)(de)(de)電(dian)阻為(wei)例，假如電(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)的(de)(de)(de)通頻(pin)帶為(wei)1MHz，則(ze)呈(cheng)如今電(dian)阻兩端的(de)(de)(de)開路(lu)(lu)(lu)(lu)電(dian)壓噪(zao)聲(sheng)(sheng)有效值為(wei)4μV(設溫(wen)度為(wei)室溫(wen)T=290K)。看起(qi)來噪(zao)聲(sheng)(sheng)的(de)(de)(de)電(dian)動勢并不大(da)，但假定將其(qi)接(jie)入(ru)一個增益為(wei)106倍(bei)的(de)(de)(de)放大(da)電(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)時，其(qi)輸出(chu)噪(zao)聲(sheng)(sheng)可達4V，這時對電(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)的(de)(de)(de)干(gan)擾就(jiu)很大(da)了(le)。

　　4、晶體(ti)管的噪聲

　　晶體管的(de)噪(zao)(zao)聲主要(yao)有(you)熱噪(zao)(zao)聲、散(san)粒(li)噪(zao)(zao)聲、閃(shan)爍噪(zao)(zao)聲。

　　熱噪聲是(shi)由于(yu)載流子不規則的(de)熱運動經(jing)過BJT內3個區的(de)體(ti)電阻(zu)及相應的(de)引線(xian)電阻(zu)時而產生。其中溫濕度變送(song)器所產生的(de)噪聲是(shi)主要的(de)。

　　通常所說的(de)(de)BJT中的(de)(de)電(dian)流，只(zhi)是一個均勻值。實踐上經過發射(she)結注入到基區的(de)(de)載(zai)流子數目，在各個瞬(shun)時不(bu)相同，因此發射(she)電(dian)流或集電(dian)流都有無規則的(de)(de)動搖，會產生散粒噪聲。

　　由于半(ban)導體(ti)資(zi)料及制(zhi)造工藝程度使得晶體(ti)管(guan)外表(biao)清潔處置不好而惹起的噪(zao)(zao)宣稱(cheng)(cheng)為閃爍噪(zao)(zao)聲。它與(yu)半(ban)導體(ti)外表(biao)少數載流(liu)子(zi)的復(fu)合有(you)關，表(biao)現為發射電(dian)流(liu)的起伏，其電(dian)流(liu)噪(zao)(zao)聲譜(pu)密度與(yu)頻率近(jin)似成反比，又稱(cheng)(cheng)1/f噪(zao)(zao)聲。它主要在(zai)低(di)頻(kHz以下(xia))范(fan)圍起主要作用。

　　5、電阻器的噪(zao)聲

　　電(dian)阻(zu)(zu)(zu)的干擾來(lai)自于電(dian)阻(zu)(zu)(zu)中的電(dian)感(gan)、電(dian)容效應和電(dian)阻(zu)(zu)(zu)自身的熱噪聲(sheng)。例如一個阻(zu)(zu)(zu)值為R的實(shi)芯電(dian)阻(zu)(zu)(zu)，可等效為電(dian)阻(zu)(zu)(zu)R、寄(ji)生(sheng)(sheng)電(dian)容C、寄(ji)生(sheng)(sheng)電(dian)感(gan)L的串并(bing)聯。寄(ji)生(sheng)(sheng)電(dian)容為0.1～0.5pF，寄(ji)生(sheng)(sheng)電(dian)感(gan)為5～8nH。在頻(pin)率高(gao)于1MHz時，這些寄(ji)生(sheng)(sheng)電(dian)感(gan)電(dian)容就不可無(wu)視了。

　　電(dian)(dian)阻都產(chan)生熱(re)噪(zao)聲(sheng)(sheng)，一個阻值為(wei)R的(de)電(dian)(dian)阻(或(huo)BJT的(de)體電(dian)(dian)阻、FET的(de)溝道電(dian)(dian)阻)未接入電(dian)(dian)路(lu)時，在(zai)頻(pin)帶(dai)B內所產(chan)生的(de)熱(re)噪(zao)聲(sheng)(sheng)電(dian)(dian)壓式中：k為(wei)玻爾茲曼(man)常(chang)數;T是(shi)(shi)溫度(單(dan)位：K)。熱(re)噪(zao)聲(sheng)(sheng)電(dian)(dian)壓自身是(shi)(shi)一個非周期變化(hua)的(de)時間(jian)函數，它的(de)頻(pin)率范圍是(shi)(shi)很寬廣。所以寬頻(pin)帶(dai)放大電(dian)(dian)路(lu)受噪(zao)聲(sheng)(sheng)的(de)影(ying)響比(bi)窄頻(pin)帶(dai)大。

　　電(dian)(dian)(dian)阻產生接(jie)觸噪(zao)聲(sheng)，接(jie)觸噪(zao)聲(sheng)電(dian)(dian)(dian)壓式中：I為(wei)流過電(dian)(dian)(dian)阻的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)流均(jun)方值;f為(wei)頻(pin)率;k是(shi)與(yu)資料幾何外(wai)形有關的(de)(de)常數。因(yin)為(wei)Vc在低頻(pin)段起著重要(yao)的(de)(de)作用，所以它(ta)是(shi)低頻(pin)傳感器的(de)(de)主要(yao)噪(zao)聲(sheng)源(yuan)。